在第五届三星代工论坛上，三星证实将在2022年上半年开始生产客户的第一批基于3纳米的芯片设计。另外，第二代3纳米工艺预计将在2023年推出。三星首次披露了采用MBCFET的2纳米工艺节点，预计将在2025年进入大规模生产。

三星的第一个带有MBCFET的3纳米GAA工艺节点将提供以下内容：

• 面积最多可减少35%。
• 与5纳米工艺相比，性能提高30%。
• 与5纳米工艺相比，耗电量降低50%。
• 除了功率、性能和面积（PPA）的改善，随着其工艺成熟度的提高，3纳米工艺的逻辑良率正接近于目前正在大规模生产的4纳米工艺的水平。

出处：Samsung